A.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲速
B.界面兩側(cè)介質(zhì)的衰減系數(shù)
C.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲阻抗
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A.約等于近場(chǎng)長(zhǎng)度
B.約等于近場(chǎng)長(zhǎng)度的0.6倍
C.約等于近場(chǎng)長(zhǎng)度1.6倍
A.6db
B.12db
C.9db
D.3db
A.基層
B.乳化劑
C.高基層
D.保護(hù)層
A.近場(chǎng)區(qū)
B.遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)
C.聲束擴(kuò)散角以外區(qū)
D.儀器阻塞時(shí)間
A.顯示器
B.接收器
C.標(biāo)準(zhǔn)電路
D.同步電路
最新試題
儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí),儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。
爬波在自由表面的位移有垂直分量,但不是純粹的表面波。
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí),不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷,其回波高相差不大。
對(duì)于比正??v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。