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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】實(shí)用的等離子體刻蝕工藝必須滿足哪些條件?
答案:
1.反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的;
2.選擇比率高;
3.刻蝕速率快;
4.具有好的終點(diǎn)靈敏性;
5.有好的各向異性刻蝕速率。
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填空題
離子注入摻雜劑量偏差的原因主要來(lái)源于:()、()和可能的()。 例如:當(dāng)作
28
Si
+
注入時(shí),可能有真空系統(tǒng)中剩余氣體產(chǎn)生的()也會(huì)同時(shí)注入。
答案:
中性原子注入;二次電子效應(yīng);相同荷質(zhì)比離子的注入;N
2
+
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填空題
Al柵CMOS的極限特征尺寸是(),在6微米以下,一般采用()工藝
答案:
5微米;多晶硅柵
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