半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.03.11)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述MOS電容的計算公式。

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2.問答題對于晶格常數(shù)為2.5×10^-20m 的一維晶體，當(dāng)外加10²/Vm和10⁷/Vm電場時，分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。

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3.問答題能帶底部電子的有效質(zhì)量m_n^*

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4.問答題室溫下，若兩塊Si樣品中的電子濃度分別為2.25×10¹⁰cm^-3和6.8×10¹⁶cm^-3，試分別求出其中的空穴的濃度和費米能級的相對位置，并判斷樣品的導(dǎo)電類型。假如再在其中都摻入濃度為2.25×10¹⁶cm^-3的受主雜質(zhì)，這兩塊樣品的導(dǎo)電類型又將怎樣？

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假如再在其中都摻入濃度為2.25×10¹⁶cm^-3的受主雜質(zhì)，那...

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5 以下4種半導(dǎo)體中最適合于制作高溫器件的是（）

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6 為減少固定電荷密度和快界面態(tài)的影響，在制備MOS器件時通常選擇硅單晶的方向為（）

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7 簡并半導(dǎo)體是指（）的半導(dǎo)體。

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8.問答題在n=p的半導(dǎo)體區(qū)域，這里n>>n_i0

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