單項(xiàng)選擇題

已知VZ=6V，0.5mA≤I2≤28mA，請問I3=？（）

A.9mA
B.10mA
C.12mA
D.16mA


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1.單項(xiàng)選擇題下列何種二極管通常都在崩潰區(qū)工作（）

A.變?nèi)荻O管
B.檢波二極管
C.稽納二極管
D.發(fā)光二極管

2.單項(xiàng)選擇題在N型半導(dǎo)體里，導(dǎo)電的主要載子是（）

A.自由電子
B.電洞
C.離子
D.以上皆是

3.單項(xiàng)選擇題純半導(dǎo)體內(nèi)若摻入銦（In）元素的原子則形成（）

A.N型半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.本質(zhì)半導(dǎo)體
D.帶電半導(dǎo)體

4.單項(xiàng)選擇題

電路符號為是（）

A.LED
B.光電二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管

5.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)硅與鍺二極管之比較何者正確？（）

A.硅二極管的逆向峰值電壓遠(yuǎn)高于鍺二極管
B.硅二極管的可工作溫度遠(yuǎn)低于鍺二極管
C.硅二極管的臨界電壓低于鍺二極管
D.硅二極管的反向飽和電流高鍺二極管