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單項選擇題透納二極管（Tunnel Diode）在順向時為一（）

A.良導(dǎo)體
B.絕緣體
C.具負電阻特性
D.半導(dǎo)體

1.單項選擇題 如圖所示，若Zener二極管崩潰電壓為10V，且12V≤V_i≤15V，500Ω≤R_L≤1000Ω，則Zener二極管所消耗之最大功率為？（）

A.0.5W
B.0.4W
C.0.3W
D.0.2W

2.單項選擇題半導(dǎo)體的電流如何產(chǎn)生？（）

A.僅由電子
B.僅由電洞
C.正、負離子
D.電子和電洞均有

3.單項選擇題理想的砷化鎵二極管其切入電壓為？（）

A.0V
B.0.2V
C.0.6V
D.1.1V

4.單項選擇題稽納電壓在5V時，是屬于何種崩潰效應(yīng)（）

A.稽納崩潰
B.累增崩潰
C.以上皆可能
D.以上皆非

5.單項選擇題一個理想的鍺質(zhì)PN二極管，在溫度為75℃時，其動態(tài)電阻r_d=3Ω，若在順向電流不變下，溫度提高至133℃時，其r_d為何？（）

A.3Ω
B.3.5Ω
C.4Ω
D.4.5Ω

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