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單項選擇題

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG

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單項選擇題

我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)

單項選擇題

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

A.負(fù)膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻

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