A.湯遜理論認(rèn)為,間隙放電過程中主要的電離因素為電子碰撞和光電離,擊穿電壓與陰極材料有關(guān)B.湯遜理論認(rèn)為,間隙擊穿電壓與陰極材料無關(guān)C.流注理論認(rèn)為,間隙放電過程中,主要電離因素為電子碰撞和光電離,并強(qiáng)調(diào)了空間電荷對(duì)電場(chǎng)的畸變作用
A.降低雷擊跳閘率B.降低輸電線路耐雷水平C.降低擊桿率D.降低繞擊率
A.在外加電場(chǎng)作用下,氣體中的正離子因其質(zhì)量和體積都較大,極易產(chǎn)生碰撞電離B.氣體中,電子碰撞電離的強(qiáng)弱程度與外加電場(chǎng)大小無關(guān)C.在外加電場(chǎng)作用下,自由電子容易被加速積累足夠的動(dòng)能,從而產(chǎn)生電子碰撞電離