六西格瑪團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體封裝中某個(gè)工藝的改善過(guò)程中已經(jīng)完成了三個(gè)因子的全因子試驗(yàn)設(shè)計(jì)，但是發(fā)現(xiàn)有明顯的曲性。為了優(yōu)化工藝參數(shù)希望擬合出2階模型，但是輸入因素“功率”（單位：MW）原先的高、低水平分別為40和50，由此產(chǎn)生的軸向延伸試驗(yàn)點(diǎn)分別為37.93和52.07，超出了設(shè)備可控制的功率設(shè)置范圍[38.5，51.5]，這時(shí)，由于試驗(yàn)成本很高，團(tuán)隊(duì)希望盡量使用上次全因子設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)，以下哪種方法最適合該六西格瑪團(tuán)隊(duì)采用？（）