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填空題JFET是利用PN結反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變（）的寬窄，從而控制漏極電流的大??；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導體表面（）的多少，從而控制漏極電流的大小。

1.填空題半功率點指的是在輸入信號幅值不變的的條件下，增益下降（）dB的頻率點，即與中頻段相比輸出電壓下降（）倍。

2.填空題將幾級放大電路串聯起來后，總電壓增益雖然提高了，但通頻帶變（）了。

3.填空題多級放大電路的總電壓增益等于各級電壓增益的（）

4.填空題射極輸出器的主要特點是：電壓放大倍數（）；輸入電阻（）；輸出電阻（）

5.填空題半導體三極管屬于（）控制器件，而場效應管屬于（）控制器件。