A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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A.鍍金層小于2.5μm可進(jìn)行一次搪錫處理,否則應(yīng)進(jìn)行二次搪錫處理
B.鍍金引線使用錫鍋搪錫時(shí),應(yīng)使用不同錫鍋進(jìn)行,第一次搪錫的錫鍋只能用于鍍金引線的搪錫且應(yīng)經(jīng)常更換焊錫
C.鍍金引線、導(dǎo)線、各種接線端子的焊接部位不允許未經(jīng)除金處理直接焊接
D.鍍金引線鍍金時(shí)應(yīng)將所有引線部位搪錫或二次搪錫處理
A.去除氧化層操作時(shí)應(yīng)防止電子元器件引線根部受損
B.可以使用W14-W28號(hào)金相砂紙單方向輕砂引線表面,直至去除氧化層,但不可將引線上的鍍層去除
C.距引線根部2mm~5mm的位置不進(jìn)行去除氧化層操作
D.元器件引線氧化層去除后4h內(nèi)要搪錫完畢
A.夾頭鉗
B.醫(yī)用鑷子
C.無(wú)齒平頭鉗
D.尖嘴鉗
A.導(dǎo)線端頭采用冷剝時(shí)冷剝離工具鉗口與導(dǎo)線規(guī)格唯一
B.導(dǎo)線端頭不搪錫長(zhǎng)度0.5mm~1mm
C.導(dǎo)線端頭處理后的導(dǎo)線應(yīng)及時(shí)進(jìn)行裝焊,防止芯線氧化或損傷,影響焊接質(zhì)量
D.導(dǎo)線端頭處理可以使用冷剝剝線工具,應(yīng)選用可調(diào)鉗口并調(diào)至與導(dǎo)線規(guī)格相匹配
A.雙列直插集成電路
B.RJ24系列電阻
C.軸向引線二極管
D.CT4L系列電阻
最新試題
再流焊爐內(nèi)的基本溫度區(qū)域不包括()
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的,二者區(qū)別是()
再流焊設(shè)備內(nèi)部溫度均勻性應(yīng)良好,橫向溫差應(yīng)不超過(guò)(),爐內(nèi)溫度的控制精度應(yīng)在()以?xún)?nèi)。
NPN管飽和條件是()
無(wú)極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí),其搪錫溫度為();采用錫鍋搪錫時(shí),其搪錫溫度為()
在串聯(lián)調(diào)整型穩(wěn)壓電源中,采用了()電路。
靜電對(duì)微電子生產(chǎn)的危害有()
元器件貼裝可選用手工貼裝或設(shè)備貼裝,貼裝時(shí)應(yīng)保證焊端至少()覆蓋焊盤(pán)。
關(guān)于鍍金引線搪錫描述錯(cuò)誤的是()
電子元器件搪錫前應(yīng)使用()校直元器件引線,引線校直時(shí)不能有夾痕,引線表面應(yīng)無(wú)損傷。