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判斷題

MCT是采用集成電路工藝制成的。

答案：正確

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功率MOSFET是利用柵源電壓的大小來改變半導(dǎo)體表面感生電荷的大小，從而控制漏極電流的大小。

答案：正確

當(dāng)晶閘管加反向陽(yáng)極電壓時(shí)，晶閘管不會(huì)導(dǎo)通。

答案：正確