單項(xiàng)選擇題離子半徑較小的離子擴(kuò)散常屬（）機(jī)理。

A.空位擴(kuò)散
B.間隙擴(kuò)散
C.間隙頂替
D.擠列擴(kuò)散


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1.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于固體電解質(zhì)發(fā)展描述錯(cuò)誤的是（）

A.最早發(fā)現(xiàn)固體電解質(zhì)的是法拉第
B.第一個(gè)實(shí)際應(yīng)用的固體電解質(zhì)是ZrO2
C.碘化銀是一種低溫固體電解質(zhì)
D.固體電解質(zhì)中β-氧化鋁是一種低溫固體電解質(zhì)

2.單項(xiàng)選擇題什么缺陷是固體電解質(zhì)電導(dǎo)的主要響應(yīng)部分（）

A.點(diǎn)缺陷
B.面缺陷
C.線缺陷
D.電子缺陷

3.單項(xiàng)選擇題作為固體電解質(zhì)，不需要滿足以下哪個(gè)使用條件（）

A.離子遷移率＞0.99，而電子遷移率＜0.01
B.電子遷移的禁帶寬度應(yīng)大于3eV
C.離子遷移的激活能遠(yuǎn)大于電子遷移激活能
D.化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性高

4.單項(xiàng)選擇題（）是固體電解質(zhì)中最主要的擴(kuò)散形式。

A.空位擴(kuò)散
B.間隙擴(kuò)散
C.間隙頂替
D.擠列擴(kuò)散

5.單項(xiàng)選擇題以下不屬于有機(jī)電化學(xué)應(yīng)用的是（）

A.電合成高分子材料
B.有機(jī)電池
C.仿生合成
D.多晶硅太陽(yáng)能