多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，HCl加氫反應(yīng)器乙炔轉(zhuǎn)化率越高，則VCM單體（）
A.乙烯單耗越低
B.氯氣單耗越低
C.燒堿單耗越低
D.氧氣單耗越低
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1.多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，氧氯化反應(yīng)器HCl轉(zhuǎn)化率越高，則VCM單體（）
A.乙烯單耗越低
B.氯氣單耗越低
C.燒堿單耗越低
D.H2單耗越低
2.多項(xiàng)選擇題在EDC裂解爐爐管進(jìn)行吹掃時(shí)，可用介質(zhì)錯(cuò)誤的是（）
A.蒸汽
B.二氯乙烷
C.VCM
D.氮?dú)?/p>
3.多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，用于處理三廢的裝置有（）
A.廢水汽提塔
B.氧氯化反應(yīng)器
C.焚燒爐
D.冷火炬
4.多項(xiàng)選擇題在平衡氧氯化法VCM裝置中，廢液和廢氣焚燒后，生成（）
A.C2H4
B.CO2
C.HCl
D.H2O
5.多項(xiàng)選擇題在平衡氧氯化法VCM裝置中，焚燒單元處理的物料有（）
A.高沸物
B.干廢氣
C.廢渣
D.濕廢氣
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浮閥塔塔盤(pán)在安裝時(shí)，應(yīng)注意（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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泡罩塔塔盤(pán)在安裝時(shí)，應(yīng)注意（）
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