在計算機存儲層次結構中，以下哪種存儲器技術能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）

從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補碼E.數據校驗F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應的邏輯電路組成的。（2）定點數的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補碼直接參與運算，其中（）加減法運算的實現規(guī)則最簡單，電路實現也最方便。（3）執(zhí)行補碼加減法運算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運算后，若兩個符號位不同，即出現01和10，表示運算結果（）。（5）在數值運算中數值位向符號位進位，或符號位向更高位進位產生的溢出，可以用這兩個進位輸出的（）操作來判斷。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

（）是指參與運算的數的基本位數，是由加法器、寄存器的位數決定的。