寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。

頻率比在什么條件下，表面下裂紋的信號(hào)振幅增大（）。

渦流試驗(yàn)時(shí)，試樣中的電磁場(chǎng)是由（）表示的。

要建筑一個(gè)Ir192透照室，源活度100C，墻外容許照射量率為0.25毫倫/小時(shí)，求混凝土墻的厚度至少各多少？（設(shè)工作人員最小工作距離為5米，水泥半減層為3.6cm，Kr=4.72）

什么是實(shí)際焦點(diǎn)和有效焦點(diǎn)？x射線機(jī)說(shuō)明書給出的是哪個(gè)焦點(diǎn)？焦點(diǎn)尺寸如何計(jì)算？

造成相同的x射線機(jī)曝光曲線不完全相同的原因是什么？

渦流的相似定律是什么？在渦流檢測(cè)中有何作用？

以通有交流電的圓筒型線圈中放有長(zhǎng)導(dǎo)電圓柱體試件為例，簡(jiǎn)述福斯特模型的基本內(nèi)容。說(shuō)明什么叫做有效磁導(dǎo)率？并寫出其數(shù)學(xué)表達(dá)式。

新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時(shí)隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時(shí)，對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？

當(dāng)激勵(lì)電壓加于一次繞組時(shí)，只有磁通量是同相的，且二次磁通量較小。當(dāng)試驗(yàn)物體插入該線圈時(shí)，將發(fā)生什么情況（）。