在實(shí)際結(jié)晶操作中，消除過(guò)量晶核的方法有（）。

雜質(zhì)的存在對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響有（）

發(fā)酵過(guò)程如果污染了烈性噬菌體，可能導(dǎo)致溶氧異常升高。

所有的發(fā)酵必須通過(guò)無(wú)菌空氣培養(yǎng)后才能達(dá)到產(chǎn)品。

為了防止染菌，整個(gè)發(fā)酵工藝不需取樣觀察，直至最后放罐。

結(jié)晶過(guò)程中，過(guò)飽和度增高往往使（），導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)速率減慢。

在結(jié)晶操作時(shí)，過(guò)飽和溶液在（）等外界條件的刺激下，均可誘發(fā)成核。

發(fā)酵培養(yǎng)基易要求組成豐富完整，營(yíng)養(yǎng)成分濃度適中。

在結(jié)晶過(guò)程中，通常是（）同時(shí)存在。

當(dāng)晶體與外部物體接觸時(shí)，碰撞作用可發(fā)生在（）之間。