A.置于被檢測(cè)物件外部
B.置于被檢測(cè)物件內(nèi)部和外部
C.置于被檢測(cè)物件內(nèi)部
D.置于被檢測(cè)物件的任何部位進(jìn)行透照檢
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A.整體結(jié)構(gòu)的
B.原子微觀結(jié)構(gòu)差異的
C.局部缺陷或結(jié)構(gòu)差異的
D.分子微觀結(jié)構(gòu)差異的
A.能夠“看見”被探測(cè)部件
B.盡量垂直穿透被檢部件
C.盡量減少被檢測(cè)部件的散射
D.盡量降低被檢測(cè)部件的吸收
A.不均勻的
B.時(shí)而是均勻的,時(shí)而是不均勻的
C.均勻的
D.一半是均勻的,一半是不均勻的
A.普通電纜
B.一般電線
C.普通銅絲
D.高壓電纜
A.便于現(xiàn)場(chǎng)的防護(hù)和操作
B.電纜長(zhǎng)度短,降低電纜的電阻
C.電纜長(zhǎng)度長(zhǎng),增加電纜的電阻
D.電纜長(zhǎng)度適中,帶來各種好處
最新試題
在同樣的X射線管電流下,管電壓增加,則()
對(duì)于檢測(cè)白點(diǎn)類內(nèi)部缺陷,適用的無損檢測(cè)方法是()
下列與底片上缺陷觀察有關(guān)的因素是()
雙壁單影透照環(huán)焊縫時(shí),不滿足Ug要求下,應(yīng)選擇較小焦距,這是為了()
下列哪種不是射線照相法的特點(diǎn)()
對(duì)于螺栓的檢測(cè),不適用的無損檢測(cè)方法是()
以下關(guān)于聲發(fā)射檢測(cè)的特點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()
在試件外緣由射線散射引起射線照相圖像質(zhì)量變差的現(xiàn)象叫()
下列有關(guān)評(píng)片的敘述哪一條是錯(cuò)誤的()
X射線照相時(shí),設(shè)焦距為650mm,陽極靶與管軸線傾角為20°,則其輻射場(chǎng)直徑為()