已知某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則在UDS=10V,UGS=0V處的跨導(dǎo)gm約為()
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
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已知某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則此管子的夾斷電壓約為()
A.0V
B.+2V
C.-2V
D.-1V
某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則該場效應(yīng)管為()
A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道增強(qiáng)型MOS管
C.P溝道增強(qiáng)型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管
某電路如下圖所示,晶體管集電極接有電阻RC,根據(jù)圖中的數(shù)據(jù)判斷該管處在()
A.截止?fàn)顟B(tài)
B.放大狀態(tài)
C.飽和狀態(tài)
低頻小功率晶體管的輸入電阻rbe等于()
A.A
B.B
C.C
A.工作在飽和區(qū)時的電流放大系數(shù)
B.工作在放大區(qū)時的電流放大系數(shù)
C.工作在截止區(qū)時的電流放大系數(shù)
最新試題
對于半導(dǎo)體材料,隨溫度升高:()
哪一種信號可產(chǎn)生電磁波?()
與混頻前的高頻相比中頻信號的()未發(fā)生變化。
行波系數(shù)等于1,說明()。
場效應(yīng)管的工作是通過()實現(xiàn)的。
甲類放大器與其它類放大器相比,()。
組成多級放大器的目的是()。
無線電波中的電場與磁場的夾角應(yīng)為()。
要改善分壓式偏置電路的溫度特性,可以用一個()的熱敏電阻與上偏置電阻RB1并聯(lián)。
單穩(wěn)態(tài)電路輸入一個脈沖后會輸出()個脈沖。