電路如圖所示。設(shè)R＝0.75kΩ，R_g1＝R_g2＝240kΩ，R_s＝4kΩ。場效應(yīng)管的g_m＝11.3ms，r_ds＝50kΩ。試求源極跟隨器的源電壓增益A_vs＝v_o／v_s、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

電路如圖所示。設(shè)電流源電流I＝0.5mA、V_DD＝V_ss＝5V，R_d＝9kΩ，C_s很大，對信號可視為短路。場效應(yīng)管的V_T＝0.8V，K_n＝1mA／V²，輸出電阻r_ds＝∞。試求電路的小信號電壓增益A_v。

電路如圖所示，設(shè)R₁＝R₂＝100kΩ，V_DD＝5V，R_d＝7.5kΩ，V_T＝－1V，K_P＝0.2mA／V₂。試計算如圖所示P溝道增強(qiáng)型MOSFET共源極電路的漏極電流I_D和漏源電壓V_DS。

電路如圖所示。
（1）當(dāng)輸入方波電流的頻率為200Hz時，計算輸出電壓的平頂降落；
（2）當(dāng)平頂降落小于2％時，輸入方波的最低頻率為多少？

電路如圖所示（射極偏置電路），設(shè)信號源內(nèi)阻R_s＝5kΩ，電路參數(shù)為：R_b1＝33kΩ，R_b2＝22kΩ，R_e＝3.9kΩ，R_C＝4.7Ω，R_L＝5.1kΩ，在R_e兩端并接一電容C_e＝50μF，V_CC＝5V，I_EQ≈0.33mA，β_o＝120，r_ce＝300kΩ，r_bb’＝50Ω，f_T＝700MHz及C_b’e＝1pF。求：
（1）輸入電阻R_i；
（2）中頻區(qū)電壓增益；
（3）上限頻率f_H。