記憶痕跡理論認(rèn)為電抽搐會干擾短時記憶的原因是（）

（）居于大腦和中腦之間，被大腦半球所遮蓋。

簡述大腦、小腦和基底神經(jīng)節(jié)在無監(jiān)督學(xué)習(xí)、強(qiáng)化學(xué)習(xí)和監(jiān)督學(xué)習(xí)三種不通模式中的作用機(jī)制。

皮層的三條知覺通路與皮層下的三條知覺通路通過（），實(shí)現(xiàn)對（）向客體綜合知覺屬性過渡的初級知覺功能。

慢性埋藏電極刺激動物腦的某些部位會引發(fā)動物的自我刺激行為，其中以內(nèi)側(cè)前腦束后部的陽性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因?yàn)椋ǎ┩泛停ǎ┩吩诖藭稀?/p>