單項(xiàng)選擇題三維計(jì)劃系統(tǒng)的劑量算法可按對(duì)組織不均勻性和對(duì)次級(jí)電子能量沉積處理方式的不同分類，這些分類不包括（）

A.一維能量局部沉積算法
B.一維能量非局部沉積算法
C.二維能量非局部沉積算法
D.三維能量局部沉積算法
E.三維能量非局部沉積算法


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1.單項(xiàng)選擇題組織補(bǔ)償器主要是補(bǔ)償（）

A.射野入射方向皮膚表面的彎曲
B.組織不均勻性
C.多野結(jié)合后彼此的劑量制約關(guān)系
D.射野劑量權(quán)重因子
E.組織器官的運(yùn)動(dòng)

2.單項(xiàng)選擇題參考照射量率Rx定義為距源多遠(yuǎn)的輸出劑量率（）

A.1cm
B.2cm
C.5cm
D.10cm
E.100cm

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于劑量建成區(qū)形成的原因，錯(cuò)誤的是（）

A.高能X（γ）射線入射到人體或模體時(shí)，在體表或皮下產(chǎn)生高能次級(jí)電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級(jí)電子射程較短，但仍需穿過一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級(jí)電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X（γ）射線隨組織深度增加，產(chǎn)生的高能次級(jí)電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實(shí)際是帶電粒子能量沉積過程

5.單項(xiàng)選擇題現(xiàn)代高能直線加速器，電子束能量可提供（）

A.2~6MeV
B.6~10MeV
C.10~15MeV
D.15~20MeV
E.4~22MeV