A.10kΩ/V;
B.1kΩ/V;
C.10V/kΩ;
D.1V/kΩ。
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A.同步指示測(cè)量機(jī)構(gòu);
B.頻率差測(cè)量機(jī)構(gòu);
C.電壓差測(cè)量機(jī)構(gòu);
D.頻率差測(cè)量機(jī)構(gòu)和電壓差測(cè)量機(jī)構(gòu)。
A.不允許使用;
B.允許降一級(jí)使用;
C.允許降二級(jí)使用;
D.只能報(bào)廢。
A.1/2;
B.1/3;
C.1/4;
D.1/5。
A.750Ω;
B.0.15Ω;
C.1500Ω;
D.10000Ω。
A.4倍;
B.0.4倍;
C.2.5倍;
D.0.5倍。
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最新試題
對(duì)相對(duì)誤差而言,在滿量程時(shí)DVM具有()。
測(cè)定相位角和功率因數(shù)變送器基本誤差時(shí),輸入電流的參比條件為()。
用萬用表R×1000檔測(cè)得二極管正向電阻是0歐,該二極管是()。
二極管的結(jié)電容越大,表明二極管的高頻單向?qū)щ娦栽剑ǎ?/p>
把電動(dòng)勢(shì)為E,內(nèi)電阻為r的幾個(gè)電池并聯(lián)后,則()。
萬用表直流測(cè)量電路其一分流電阻燒壞斷路,當(dāng)額定量限下的電流通入時(shí)將會(huì)引起()。
鉗形電流表測(cè)量導(dǎo)電回路中的電流采用的是()方法。
DVM顯示能力的測(cè)量,()量程上進(jìn)行。
元器件在未經(jīng)過老化前,在室溫條件,借助于各種測(cè)試儀器,按工藝規(guī)定的項(xiàng)目測(cè)試元器件的參數(shù)屬于篩選過程中的()。
在測(cè)量帶電電路時(shí),下述測(cè)量電阻的方法正確的是()。