單項選擇題在LTE中,上行功控的精度是
A、0.5DB
B、1DB
C、1.5DB
D、2DB
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1.單項選擇題LTE上行采用什么機制功率控制?
A、開環(huán)
B、閉環(huán)
C、都可以
D、圓環(huán)
2.單項選擇題LTE上行功控分為幾種?
A、1種
B、2種
C、3種
D、4種
3.單項選擇題宏分集的取舍決定了()的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)
A、E-UTRAN
B、CN
C、RNC
D、UE
4.單項選擇題基站天線多采用線極化方式,其中雙極化天線多采用()雙線極化。
A、±30°
B、±45°
C、±90°
D、±120°
5.單項選擇題哪些不屬于分集技術(shù)?
A、空間分集
B、時間分集
C、頻率分集
D、物理分集
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最新試題
VoLTE語音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
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用以測試駐波的儀器是(),一般駐波比小于()為正常。
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