A、10dB
B、20dB
C、30dB
D、40dB
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A、全向輻射器
B、半波振子
C、全波振子
D、1/4振子
A、RE
B、REG
C、RB
D、RBG
A、萬(wàn)和
B、鼎立
C、TEMS
D、CNT
A、RS的發(fā)射功率固定為12dbm
B、RS的發(fā)射功率僅與小區(qū)的最大發(fā)射功率有關(guān)
C、RS的發(fā)射功率與小區(qū)的最大發(fā)射功率、天線發(fā)射端口數(shù)
D、RS的發(fā)射功率與小區(qū)的最大發(fā)射功率、天線發(fā)射端口數(shù)、SCH&PBCH相對(duì)于RS的偏移量、PDSCH&PDCCH相對(duì)于RS的偏移量
A、5
B、100
C、300
D、500
最新試題
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí),不允許發(fā)起TAU流程。
LTE的SON功能,包括自配置、自優(yōu)化、自規(guī)劃。
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括()。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
頻譜分析儀的最低噪聲電平和最慢掃描時(shí)間是在最小分辨帶寬下得到的。
有關(guān)LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)線鏈路失?。≧LF),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
LTE的規(guī)劃包括()。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。