A.在RRC_IDLE狀態(tài)時(shí)，發(fā)起的初始接入
B.在RRC_CONNECTED狀態(tài)時(shí)，發(fā)起的連接重建立處理
C.小區(qū)切換過(guò)程中的隨機(jī)接入
D.在RRC_CONNECTED狀態(tài)時(shí)，上行數(shù)據(jù)到達(dá)發(fā)起的隨機(jī)接入；如上行失步或無(wú)SR使用的PUCCH資源（SR達(dá)到最大傳輸次數(shù)）
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.頻譜效率
B.符號(hào)間干擾
C.子載波間干擾
D.頻譜帶寬
A.0~15km/h
B.500Km/h
C.120~350km/h
D.15~120km/h
A.頻段
B.合路損耗
C.天線分集增益
D.天線下傾角
A.X1
B.X2
C.S1
D.Uu
A.附著成功率=成功完成附著與缺省EPS承載建立次數(shù)/開機(jī)總次數(shù)
B.附著成功率=成功完成附著次數(shù)/開機(jī)總次數(shù)
C.附著成功率=成功完成附著次數(shù)/附著請(qǐng)求總次數(shù)
D.附著成功率=成功完成附著與缺省EPS承載建立次數(shù)/附著請(qǐng)求總次數(shù)
最新試題
定義E-UTRAN架構(gòu)及E-UTRAN接口的工作主要遵循以下基本原則（）
收到Msg1消息后，eNodeB通過(guò)（）確定隨機(jī)接入臨時(shí)標(biāo)識(shí)
根據(jù)國(guó)家電磁輻射標(biāo)準(zhǔn)，天線口輸出的總功率功率不超過(guò)（）dBm。
PHICH符號(hào)個(gè)數(shù)是由什么獲得（）
隨機(jī)接入過(guò)程中使用哪種標(biāo)識(shí)區(qū)分用戶（）
根據(jù)《工業(yè)和信息化部關(guān)于發(fā)布1800和1900兆赫茲頻段國(guó)際移動(dòng)通信系統(tǒng)基站射頻技術(shù)指標(biāo)和臺(tái)站設(shè)置要求的通知》（工信部無(wú)〔2012〕559號(hào)），F(xiàn)DD和TDD方式的IMT系統(tǒng)基站間耦合損耗不小于（）
在MBMS邏輯架構(gòu)中，負(fù)責(zé)傳輸MBMS會(huì)話控制指令的邏輯實(shí)體是（）
天饋測(cè)試過(guò)程中，VSWR測(cè)試值為1.5，對(duì)應(yīng)的return loss為（）
LTE規(guī)劃仿真中的詳細(xì)規(guī)劃涉及到的有（）
TD-LTE中，Uu接口完整性保護(hù)激活后RRC層信令無(wú)線承載是（）。