若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線，由于提高了充電電壓，電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。

拉開(kāi)操作直流熔斷器的順序是先負(fù)極后正極，安裝的順序與此相反，這樣做是為了防止產(chǎn)生寄生同路而引起誤動(dòng)跳閘。

處理二次回路故障時(shí)，應(yīng)防止電流回路短路與電壓回路開(kāi)路或接地。

采用硅整流裝置作操作電源，缺點(diǎn)是不能獨(dú)立使用，需加裝補(bǔ)償電容、自投裝置、逆止閥等附件。

真空斷路器的滅弧過(guò)程是在密封的真空容器中完成的，因此不會(huì)污染周?chē)h(huán)境。

由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高，在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí)，有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。

驗(yàn)收隔離開(kāi)關(guān)觸頭應(yīng)接觸嚴(yán)密，無(wú)變色。

正常情況下，硅整流器交流電源應(yīng)由電源側(cè)斷路器供電，自行投入。

通信設(shè)備故障或中斷通信，屬于緊急缺陷。

直流回路熔斷器質(zhì)量不合格，接觸不良，可導(dǎo)致直流電壓消失。