A.低壓端對(duì)地絕緣電阻≥2000MΩ
B.電容量初值差不超過(guò)±5%
C.相對(duì)介質(zhì)損耗因數(shù)變化量≤0.003
D.相對(duì)電容量比值初值差≤5%
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A.在相同測(cè)量條件下,線圈電阻的初值差不超過(guò)±3%
B.在相同測(cè)量條件下,線圈電阻的初值差不超過(guò)±5%
C.在額定頻率下,電感量的初值差不超過(guò)±3%
D.在額定頻率下,電感量的初值差不超過(guò)±5%
A.極對(duì)殼絕緣電阻不低于2500MΩ
B.電容量與出廠值的差異不超過(guò)±5%
C.更換的新電容器的電容量以及更換后整組的電容量,應(yīng)符合技術(shù)文件要求
D.以上都是
A.3MVar以下電容器組:-5%~10%
B.3~30MVar電容器組:0%~10%
C.30MVar以上電容器組:5%~10%
D.30MVar以上電容器組:0%~5%。
A.紅外熱像檢測(cè)
B.絕緣電阻
C.電容量
D.紫外檢測(cè)
A.絕緣電阻換算至同一溫度下,與初值相比無(wú)顯著下降
B.吸收比≥1.3或極化指數(shù)≥1.5或絕緣電阻≥10000MΩ
C.過(guò)渡電阻阻值與初值比較偏差不大于±10%
D.絕緣電阻一般不低于1MΩ
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中性點(diǎn)隔直裝置本體銹蝕面積不應(yīng)大于()mm2。
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隔離開(kāi)關(guān)專業(yè)操動(dòng)機(jī)構(gòu)巡視時(shí)箱內(nèi)二次元器件()完好。
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