單項選擇題低頻用2SB56晶體管,其英文字母S代表()
A.短的
B.高速用
C.感知器
D.半導體
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1.單項選擇題關于FET之敘述,下列何者為非?()
A.是一壓控組件
B.是單極性組件
C.輸入阻抗很低
D.沒有抵補(offset)電壓是一個很好的開關組件
2.單項選擇題有關MOSFET下列何者為非?()
A.輸入阻抗極低,有極高扇出數(shù)
B.集成電路所占體積小
C.O”是指二氧化硅層
D.可作雙向?qū)ΨQ開關
3.單項選擇題場效晶體管的放大電路中,何種組態(tài)的輸出信號為反相?()
A.共源極(CS)
B.共汲極(CD)
C.共閘極(CG)
D.以上皆非
4.單項選擇題
如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路,設VDD=+24V,RD=1.2kΩ,RG=10MΩ,MOSFET的IDSS=9mA,VP=-4.5V,則直流偏壓值為何?()
A.VGS=4.5V,ID=9mA
B.VGS=-4.5V,ID=4.5mA
C.VGS=0V,VGS=18.6V
D.VGS=0V,VDS=4.5V
E.VGS=0V,VDS=13.2V
5.單項選擇題
如圖所示,晶體管之β=40,使晶體管飽和之最小IB為?()
A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA
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555時基電路在雙穩(wěn)態(tài)模式下,其輸出電平如何變化?()
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