A.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)和極間是否有足夠的電荷
B.內(nèi)部熔絲是否斷開和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.極間電荷和浮置柵是否積累足夠的電荷
D.極間是否有足夠的電荷和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)
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A.不確定
B.0
C.1
D.可能為0，也可能為1
A.15和8
B.32和8
C.17和8
D.18和10
A.存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)讀或?qū)懖僮魉试S的最短時(shí)間間隔
B.存儲(chǔ)器的讀出周期
C.存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)寫操作所允許的最短時(shí)間間隔
D.存儲(chǔ)器的寫入周期
最新試題
分析下面的程序段所實(shí)現(xiàn)的功能：
什么叫循環(huán)程序？它有什么優(yōu)點(diǎn)？簡(jiǎn)述循環(huán)程序的結(jié)構(gòu)。
簡(jiǎn)述系統(tǒng)功能調(diào)用的步驟。
簡(jiǎn)述匯編語言源程序的基本格式。
分析下面的程序段所實(shí)現(xiàn)的功能：
簡(jiǎn)述中斷處理子程序的結(jié)構(gòu)模式。
分析下面的程序段所實(shí)現(xiàn)的功能：
閱讀下面的程序，指出該程序完成的功能。
說明ROM、RAM的區(qū)別和聯(lián)系。
當(dāng)下列程序執(zhí)行完后，AL、BX、DI、DS四個(gè)寄存器的內(nèi)容分別是什么？假定存儲(chǔ)器從2000H開始的內(nèi)容分別為：[2000H]=04H，[2001H]=02H，[2003H]=06H，