單項(xiàng)選擇題當(dāng)UGS＝0時(shí)，（）管不可能工作在恒流區(qū)。
A.JFET
B.增強(qiáng)型MOS管
C.耗盡型MOS管
D.NMOS管
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1.單項(xiàng)選擇題（）具有不同的低頻小信號(hào)電路模型。
A.NPN型管和PNP型管
B.增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管
C.N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管
D.晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管
2.單項(xiàng)選擇題輸入（）時(shí)，可利用H參數(shù)小信號(hào)電路模型對(duì)放大電路進(jìn)行交流分析。
A.正弦小信號(hào)
B.低頻大信號(hào)
C.低頻小信號(hào)
D.高頻小信號(hào)
