摻雜后，退火的目的是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現圖形的轉移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。