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單項(xiàng)選擇題執(zhí)行下列指令后，溢出標(biāo)志位OV的內(nèi)容是（）。MOV A，#74HADD A，#47H

A.0
B.1
C.2
D.不確定

1.單項(xiàng)選擇題若RS0=0，RS1=1，要想把寄存器R0的內(nèi)容壓入堆棧，可以使用（）指令。

A.PUSH 10H
B.PUSH @R0
C.PUSH R0
D.PUSH 08H

2.單項(xiàng)選擇題若需8051復(fù)位后從片外程序存儲(chǔ)器開(kāi)始執(zhí)行，則（）引腳必須接低電平。

A.EA
B.ALE
C.PSEN
D.RD

3.問(wèn)答題已知8個(gè)無(wú)符號(hào)數(shù)之和存于R3 R4，求其平均值，結(jié)果仍存于R3 R4中，請(qǐng)編程實(shí)現(xiàn)（R3為高字節(jié)）。

4.問(wèn)答題已知內(nèi)部RAM 30H單元開(kāi)始存放20H個(gè)數(shù)據(jù)，將其傳送到外部RAM的0000H單元開(kāi)始的存儲(chǔ)區(qū)，請(qǐng)編程實(shí)現(xiàn)。

5.問(wèn)答題在外部RAM首地址為T(mén)ABLE的數(shù)據(jù)表中有10個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)，請(qǐng)編程將每個(gè)字節(jié)的最高位無(wú)條件地置1。