A.8MeV–10MeV
B.10MeV–12MeV
C.14MeV–15MeV
D.16MeV–17MeV
E.18MeV–19MeV
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A.200KV-X線的等劑量曲線的邊緣突然中斷
B.200KV-X線的等劑量曲線的邊緣散射時多并隨射野增大
C.隨能量升高等劑量線由彎曲變平直
D.半影越大等劑量線越彎曲
E.高值等劑量線外擴,低值等劑量線內收
A.使用空腔電離室對吸收劑量是一種直接測量方法
B.膠片法一般采用慢感光膠片即低敏感度工業(yè)膠片
C.硫酸亞鐵溶液受照射后,二價鐵離子氧化成三價鐵離子
D.熱釋光劑量原件可以郵寄,對不同地區(qū)不同放療單位進行工作對比
E.半導體探頭比空氣電離室的敏感度高出18000多倍,因此可將探頭的敏感體積做得很小
A.(u cn/p)m/(u cn/p)a為某種介質對空氣的質能吸收系數(shù)之比
B.(u cn/p)m/(u cn/p)a為某種介質對空氣的質能吸收本能之比
C.(u cn/p)m/(u cn/p)a為水對空氣的質能阻止本領之比
D.(u cn/p)m/(u cn/p)a為介質中吸收劑量與照射質量的轉換系數(shù)
E.(u cn/p)m/(u cn/p)a為水中吸收劑量與照射劑量的轉換系數(shù)
A.5MeVN≤E<10MeV;1.0cm
B.MeVN≤E<10MeV;1.5cm
C.10MeVN≤E<20MeV;2.0cm
D.20MeVN≤E<50MeV;3.0cm
A.量熱法
B.電離室法
C.膠片法
D.半導體探測器
E.熱釋光劑量法
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