多項選擇題電場引起的晶體折射率的變化可以表示為以下對式中等號后面第二的描述中正確的是（）。
A.表示不加電場時晶體的折射率
B.電場的一次項所引起的晶體折射率變化效應(yīng)
C.一次電光效應(yīng)
D.線性電光效應(yīng)
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1.單項選擇題在晶體的電光調(diào)制實驗中，半波電壓是一個重要的實驗參數(shù)，以下有關(guān)半波電壓的描述中，錯誤的是（）。
A.橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關(guān)，在其他條件情時，晶體的厚度（垂直于通光方向的幾何尺寸）越厚，半波電壓越高。
B.橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關(guān)，在其他條件情時，晶體的通光長度越長，半波電壓越高。
C.為了降低半波電壓，需要盡可能增加通光方向的幾何尺寸。
D.為了降低半波電壓，需要將晶體加工成細長的扁長方體。
2.單項選擇題以下有關(guān)電光調(diào)制實驗中光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)建中，正確的光電元件擺放順序是（）。
A.半導(dǎo)體激光器、起偏器、電光晶體、1/4波片、檢偏器、光電探測器
B.半導(dǎo)體激光器、起偏器、1/4波片、電光晶體、檢偏器、光電探測器
C.半導(dǎo)體激光器、起偏器、電光晶體、檢偏器、1/4波片、光電探測器
D.半導(dǎo)體激光器、1/4波片、起偏器、電光晶體、檢偏器、光電探測器
