單項(xiàng)選擇題（）存儲(chǔ)器芯片比較適合存放保護(hù)定值。

A.EPROM
B.RAM
C.EEPROM


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題自電壓互感器二次側(cè)的四根開關(guān)場(chǎng)引入線（Ua、Ub、Uc、Un）和電壓互感器三次側(cè)的兩根開關(guān)場(chǎng)引入線（開口三角的UL、ULn）中的兩個(gè)零相電纜Un及ULn（）。

A.必須分別引至控制室，并在控制室一點(diǎn)接地
B.在開關(guān)場(chǎng)并接后，合成一根后引至控制室接地
C.三次側(cè)的ULn在開關(guān)場(chǎng)接地后引入控制室接N600，二次側(cè)的Un單獨(dú)引入控制室并接地

3.單項(xiàng)選擇題為躲過(guò)勵(lì)磁涌流，變壓器差動(dòng)保護(hù)采用二次諧波制動(dòng)，（）。

A.二次諧波制動(dòng)比越大，躲過(guò)勵(lì)磁涌流的能力越強(qiáng)
B.二次諧波制動(dòng)比越大，躲過(guò)勵(lì)磁涌流的能力越弱
C.二次諧波制動(dòng)比越大，躲空投時(shí)不平衡電流的能力越強(qiáng)