多項選擇題對于ZnO壓敏電阻的劣化預防，可以采用（）的方法進行處理。
A.機械保護
B.熱學處理
C.化學處理
D.合理設計
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1.多項選擇題ZnO壓敏電阻的離子遷移說劣化機理模與實驗結果更相符，基本認為：（）。
A.劣化是一種晶界現(xiàn)象
B.劣化是耗盡層中離子遷移的結果
C.劣化是穩(wěn)定層中離子遷移的結果
D.遷移離子主要是氧和填隙Zn
2.多項選擇題ZnO壓敏電阻片的全電壓—電流特性曲線可劃分為哪幾個區(qū)段：（）。
A.小電流區(qū)
B.中電流區(qū)
C.截止區(qū)
D.大電流區(qū)
