多項(xiàng)選擇題ZnO壓敏電阻的離子遷移說劣化機(jī)理模與實(shí)驗(yàn)結(jié)果更相符，基本認(rèn)為：（）。
A.劣化是一種晶界現(xiàn)象
B.劣化是耗盡層中離子遷移的結(jié)果
C.劣化是穩(wěn)定層中離子遷移的結(jié)果
D.遷移離子主要是氧和填隙Zn
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1.多項(xiàng)選擇題ZnO壓敏電阻片的全電壓—電流特性曲線可劃分為哪幾個(gè)區(qū)段：（）。
A.小電流區(qū)
B.中電流區(qū)
C.截止區(qū)
D.大電流區(qū)
2.多項(xiàng)選擇題火花間隙性避雷器缺點(diǎn)有（）。
A.通流量小
B.殘壓高
C.反應(yīng)時(shí)間長
D.有工頻續(xù)流
