若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。

存儲器堆棧需要設(shè)置一個專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計算D.數(shù)據(jù)計算E.控制器設(shè)計簡單F.控制器設(shè)計復(fù)雜（1）一個指令周期中，（）是每一條指令都必須執(zhí)行的，所完成的功能對所有指令都相同。（2）一個指令周期中，（）對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。（3）一條指令在執(zhí)行過程中，一定要完成（）并保存，以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。（4）指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是（）。（5）指令流水線方式是提高計算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施，但它的（）。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

由硬件實現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實現(xiàn)的做法被稱為（）