A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
A.BUCK電路
B.BOOST電路
C.CUK電路
D.正激電路
A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截止
A.電壓控制型
B.電流控制型
C.單極型
D.雙極型
A.三相的大
B.單相的大
C.一樣大
D.不一定
最新試題
使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。
本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()
集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動(dòng)控制等方面
交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。