單項(xiàng)選擇題電力晶體管簡稱為()。

A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT


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你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題可關(guān)斷晶閘管簡稱為()。

A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT

2.單項(xiàng)選擇題非隔離式電路中,具有升降壓調(diào)節(jié)功能的電路是()。

A.BUCK電路
B.BOOST電路
C.CUK電路
D.正激電路

3.單項(xiàng)選擇題電力晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為()。

A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截止

4.單項(xiàng)選擇題電力電子器件IGBT為()器件。

A.電壓控制型
B.電流控制型
C.單極型
D.雙極型

5.單項(xiàng)選擇題三相可控整流與單相可控整流相比較,輸出直流電壓的紋波系數(shù)()。

A.三相的大
B.單相的大
C.一樣大
D.不一定

最新試題

使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。

題型:判斷題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:單項(xiàng)選擇題

放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。

題型:判斷題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()

題型:單項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題

集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()

題型:多項(xiàng)選擇題

從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。

題型:判斷題