A.CF
B.BP
C.ZF
D.SF
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A.%ah
B.%ax
C.%al
D.%bh
A.10.0
B.10.1
C.11.0
D.11.1
A.0 0001 000
B.0 1110 111
C.0 1111 000
D.0 0000 001
在IEEE浮點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)中,單精度浮點(diǎn)數(shù)值
表示的是特殊值()。
A.‒∞
B.∞
C.0
D.NaN
A.13
B.-3
C.12
D.2
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最新試題
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。
將十六進(jìn)制數(shù)(2BA)16化成十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
主存儲器通常由以下哪些部分組成?()
在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()
()又稱為萬國碼,是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號的字符編碼方案。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。