A.8
B.16
C.32
D.64
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A.11
B.12
C.13
D.14
A.CF
B.ZF
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D.OF
假設(shè)下面的值存放在指定的存儲器地址和寄存器中,則指令imull $16,(%eax,%edx,4)將更新的寄存器或存儲器位置,以及得到的值分別為多少?()
A.0x100;0x100
B.0x104;0Xab
C.0x10C;0x110
D.0x108;0x14
A.SAL
B.SHL
C.SAR
D.SHR
A.short
B.int
C.char *
D.float
最新試題
計算機的I/O接口是()之間的交接界面。
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
在計算機存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()
()是指參與運算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補,正確結(jié)果為()。
在現(xiàn)代計算機系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中,用機器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。