A.控制器
B.控制器、運(yùn)算器、cache
C.運(yùn)算器、主存
D.控制器、ALU、主存
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A.棧頂和次棧頂
B.兩個(gè)主存單元
C.一個(gè)主存單元和一個(gè)通用寄存器
D.兩個(gè)通用寄存器
A.讀寫(xiě)存儲(chǔ)器
B.只讀存儲(chǔ)器
C.閃速存儲(chǔ)器
D.電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器
A.只做加法運(yùn)算
B.只做算術(shù)運(yùn)算
C.算術(shù)運(yùn)算與邏輯運(yùn)算
D.只做邏輯運(yùn)算
A.并行
B.馮·諾依曼
C.智能
D.串行
最新試題
主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成？（）
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫(xiě)出[X]反，正確結(jié)果為（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪(fǎng)問(wèn)、低功耗和大容量？（）
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（2BA）16化成十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。