A.產(chǎn)生同方向之磁場(chǎng)以阻止磁通減少
B.產(chǎn)生同方向之磁碭以反抗磁通之增加
C.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以阻止磁通之減少
D.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以反抗磁通之增加
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如圖
所示電路，求a、b兩端的總電感Lab=（）
A.3H
B.4H
C.5H
D.6H
A.2
B.4
C.6
D.8
如圖
所示，鐵心的BC=0.5Wb/m2，假設(shè)鐵心與氣隙之截面積相同，求在氣隙中之磁場(chǎng)強(qiáng)度為何（）
A.1.78×105AT/m
B.3.98×105AT/m
C.5.64×105AT/m
D.7.13×105AT/m
如圖
所示，C1為33μF，充滿電后，把開關(guān)S由A移至B點(diǎn)，則C1之電壓降為75V后達(dá)穩(wěn)定，假設(shè)C2之初電壓為零，則C2值為（）
A.44μF
B.33μF
C.22μF
D.11μF
A.1V
B.10V
C.100V
D.1000V
最新試題
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯(cuò)誤的是（）。
?下列對(duì)集成運(yùn)放失調(diào)參數(shù)描述合理的是（）。
如圖所示，描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
?關(guān)于正弦波振蕩電路，下列表述不合適的是（）。
下列關(guān)于電感儲(chǔ)能的描述中錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于回路方程，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
關(guān)于電路模型，下列說法錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
電路如圖所示，則（）。
如圖所示電路中，二極管都是理想的，則電壓Uab=（）V。
關(guān)于電阻元件，下列描述正確的一項(xiàng)是（）。