判斷題

在硅氧四面體的附近應該有帶正電的離子來抵消它的負電。

答案： 錯誤
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判斷題

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答案： 正確
問答題

【簡答題】簡述Langmuir吸附等溫方程建立的基礎。
答案： L.angmuir吸附等溫方程是建立在單分子層吸附理論的基礎上，其基本假設如下：
（1）吸附是單層的
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