單項(xiàng)選擇題在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號時,上標(biāo)不寫表示帶()個電荷。
A.0
B.-1
C.+2
D.+3
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1.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)缺陷根據(jù)產(chǎn)生原因可以分為()類。
A.1
B.2
C.3
D.4
2.單項(xiàng)選擇題Fe1-xO當(dāng)環(huán)境氧分壓升高時,則其電導(dǎo)率與氧分壓的()次方成正比。
A.1/3
B.1/4
C.1/5
D.1/6
3.單項(xiàng)選擇題TiO2-x當(dāng)環(huán)境中氧氣氛壓力減小或者在還原性氣氛中,則其電導(dǎo)率與氧分壓的()次方成反比。
A.1/3
B.1/4
C.1/5
D.1/6
4.單項(xiàng)選擇題非化學(xué)計量化合物有()種類型。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項(xiàng)選擇題對于金屬材料,設(shè)D為實(shí)驗(yàn)測定密度值,D0為計算的理論密度,若D
A.缺位型
B.置換型
C.間隙型
D.不生成
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