設(shè)運放為理想器件，試求圖所示電壓比較器的門限電壓，并畫出它的傳輸特性（圖中V_Z＝9V）。

一比較電路如圖所示。設(shè)運放是理想的，且V_REF＝－1V，V_Z＝5V，試求門限電壓值V_T，畫出比較器的傳輸特性v_o＝f（v_I）。

電路如圖所示，A₁為理想運放，C₂為比較器，二極管D也是理想器件，R_b＝51kΩ，R_c＝5.1kΩ，BJT的β＝50，V_CES≈0，I_CEO≈0，試求：
（1）當(dāng)v_I＝1V時，v_o＝？
（2）當(dāng)v_I＝3V時，v_o＝？
（3）當(dāng)v_I＝5sinωt（V）時，試畫出v_I、v_o2和v_o的波形。

兩種石英晶體振蕩器原理電路如圖（a）、（b）所示。試說明它屬于哪種類型的晶體振蕩電路，為什么說這種電路結(jié)構(gòu)有利于提高頻率穩(wěn)定度？

兩種改進(jìn)型電容三點式振蕩電路如圖（a）、（b）所示，試回答下列問題：
（1）畫出圖（a）的交流通路，若C_b很大，C₁＞＞C₃，C₂＞＞C₃，求振蕩頻率的近似表達(dá)式；
（2）畫出圖（b）的交流通路，若C_b很大，C₁＞＞C₃，C₂＞＞C₃，求振蕩頻率的近似表達(dá)式；
（3）定性說明雜散電容對兩種電路振蕩頻率的影響。