A.黑箱操作
B.較好的容錯(cuò)性
C.結(jié)果重復(fù)性好
D.不出現(xiàn)過(guò)擬合現(xiàn)象
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.π
B.β
C.μ
D.?
A.1.2
B.2.2
C.3.6
D.4.3
A.辛醇-水分配系數(shù)
B.價(jià)鍵的類型
C.分子的長(zhǎng)度
D.軌道構(gòu)型
A.建模-分子結(jié)構(gòu)優(yōu)化-結(jié)構(gòu)描述符計(jì)算-模型評(píng)價(jià)表征-模型解釋
B.分子結(jié)構(gòu)優(yōu)化-結(jié)構(gòu)描述符計(jì)算-建模-模型評(píng)價(jià)表征-模型解釋
C.結(jié)構(gòu)描述符計(jì)算-分子結(jié)構(gòu)優(yōu)化-建模-模型評(píng)價(jià)表征-模型解釋
D.分子結(jié)構(gòu)優(yōu)化-結(jié)構(gòu)描述符計(jì)算-模型評(píng)價(jià)表征-建模-模型解釋
A.權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)、經(jīng)典文獻(xiàn)、規(guī)范可信的實(shí)驗(yàn)資料
B.權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)、經(jīng)典文獻(xiàn)
C.經(jīng)典文獻(xiàn)、規(guī)范可信的實(shí)驗(yàn)資料
D.權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)、規(guī)范可信的實(shí)驗(yàn)資料
最新試題
電子云密度越低的位置則與親核化合物發(fā)生反應(yīng)的可能性越高。
下列哪個(gè)參數(shù)屬于間接結(jié)構(gòu)描述符？（）
比較分子力場(chǎng)分析法中常使用探針，（）可以探測(cè)立體場(chǎng)、（）可以探測(cè)疏水場(chǎng)、（）可以探測(cè)靜電場(chǎng)。
3D-QSAR中（）是目前最為成熟且應(yīng)用最為廣泛的方法。
QSAR可以發(fā)展出QSPR、QSBR、QSRR、QSAR、QSTR、QSER，其中的A、P、B、R、A、T、E分別是什么？（）
辛醇-水分配系數(shù)、Hammett取代基常數(shù)和分子連接指數(shù)都是半經(jīng)驗(yàn)性的分子結(jié)構(gòu)描述子。
電子云密度越大的位置與親電化合物發(fā)生反應(yīng)的可能性越高。
飽和價(jià)鍵的污染物分子中取代基對(duì)于反應(yīng)的影響主要是通過(guò)誘導(dǎo)效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
單層感知網(wǎng)絡(luò)作為最初的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)具有以下哪些優(yōu)點(diǎn)？（）
Hammett取代基常數(shù)，σ為正值，說(shuō)明取代基是吸電性的。