A.適用于非金屬法蘭絕緣盆子，帶有金屬屏蔽的絕緣盆子可利用澆注開口進(jìn)行檢測，具備內(nèi)置探頭的和其它結(jié)構(gòu)參照執(zhí)行
B.適用于金屬法蘭絕緣盆子，帶有非金屬屏蔽的絕緣盆子可利用澆注開口進(jìn)行檢測，具備內(nèi)置探頭的和其它結(jié)構(gòu)參照執(zhí)行
C.檢測前應(yīng)盡量排除環(huán)境的干擾信號(hào)，檢測中對干擾信號(hào)的判別可綜合利用特高頻法典型干擾圖譜、頻譜儀和高速示波器等儀器和手段進(jìn)行
D.進(jìn)行局部放電定位時(shí)，可采用示波器（采樣精度至少1GHz以上）等
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A.相對地（合閘狀態(tài)）
B.相對設(shè)備
C.斷口間（分閘狀態(tài)）
D.相鄰相間
A.并聯(lián)合閘脫扣器在合閘裝置額定電源電壓的85%～110%范圍內(nèi)，應(yīng)可靠動(dòng)作
B.并聯(lián)分閘脫扣器在分閘裝置額定電源電壓的65%～110%（直流）或85%～110%（交流）范圍內(nèi)，應(yīng)可靠動(dòng)作
C.當(dāng)電源電壓低于額定電壓的20%時(shí)，脫扣器不應(yīng)脫扣
D.當(dāng)電源電壓低于額定電壓的30%時(shí)，脫扣器不應(yīng)脫扣
A.應(yīng)符合設(shè)備技術(shù)文件要求，沒有明確要求時(shí)，以線圈電阻初值差不超過正負(fù)5%作為判據(jù)
B.應(yīng)符合設(shè)備技術(shù)文件要求，沒有明確要求時(shí)，以線圈電阻初值差不超過正負(fù)10%作為判據(jù)
C.絕緣電阻不小于1MΩ
D.絕緣電阻不小于2MΩ
A.檢測斷口及斷口并聯(lián)元件、引線接頭、絕緣子等
B.判斷時(shí)，應(yīng)該考慮測量時(shí)及前3小時(shí)負(fù)荷電流的變化情況
C.注意與同等運(yùn)行條件下其它斷路器進(jìn)行比較
D.測量和分析方法可參考DL/T664
A.并聯(lián)合閘脫扣器在合閘裝置額定電源電壓的85%～110%范圍內(nèi)，應(yīng)可靠動(dòng)作
B.并聯(lián)分閘脫扣器在分閘裝置額定電源電壓的65%～110%（直流）或85%～110%（交流）范圍內(nèi)，應(yīng)可靠動(dòng)作
C.當(dāng)電源電壓低于額定電壓的30%時(shí)，脫扣器不應(yīng)脫扣
D.當(dāng)電源電壓低于額定電壓的40%時(shí)，脫扣器不應(yīng)脫扣
最新試題
構(gòu)支架到貨驗(yàn)收，對其外觀檢查，有無彎曲、裂紋、撓曲變形、焊縫開裂、防腐涂層損傷或漏涂等（）缺陷。
SF6斷路器紅外測溫，引線接頭，溫差不超過（）K，未達(dá)到嚴(yán)重缺陷的要求，開展D類檢修。
SF6斷路器分、合閘位置指示脫落，難以判別斷路器位置，易造成誤判斷，開展C類檢修，（）檢查處理。
SF6斷路器本體檢修，從烘箱取出烘干的新吸附劑前，應(yīng)適當(dāng)降溫，并戴隔熱（）
構(gòu)支架基礎(chǔ)宜用（），確?；A(chǔ)無沉降、開裂。
基建設(shè)備投運(yùn)后對設(shè)備進(jìn)行的狀態(tài)評價(jià)屬于（）
鋼爬梯、地線柱等構(gòu)件應(yīng)按構(gòu)架透視圖位置正確安裝于構(gòu)件桿體上，并應(yīng)注意（）
構(gòu)支架竣工（預(yù)）驗(yàn)收，要求技改擴(kuò)建工程新構(gòu)支架應(yīng)與原構(gòu)支架（）一致。
10kV及以上高壓開關(guān)柜出廠驗(yàn)收，必要時(shí)可對出廠試驗(yàn)中的開關(guān)柜交流耐壓試驗(yàn)、斷路器（）測量等關(guān)鍵項(xiàng)目進(jìn)行現(xiàn)場見證驗(yàn)收。
高壓熔斷器外露金屬件表面銹蝕、變色、脫落面積不應(yīng)大于（）mm2。