真空斷路器具有體積小、重量輕、維護(hù)工作量小等優(yōu)點(diǎn)，適用于超高壓系統(tǒng)。

直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí)，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí)，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí)，應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。

GIS耐壓試驗(yàn)之前，進(jìn)行老化（凈化）試驗(yàn)的目的是：使設(shè)備中可能存在的活動(dòng)微粒雜質(zhì)遷移到低電場(chǎng)區(qū)，并通過放電燒掉細(xì)小微粒或電極上的毛刺、附著的塵埃，以恢復(fù)GIS絕緣強(qiáng)度，避免不必要的破壞或返工。