當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí)，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí)，應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。

在現(xiàn)場(chǎng)相同條件下（好天氣），用介損儀測(cè)量小電容試品的tgδ和Cx時(shí)，用正接線方法和反接線方法測(cè)量結(jié)果是完全相同的。

GIS耐壓試驗(yàn)之前，進(jìn)行老化（凈化）試驗(yàn)的目的是：使設(shè)備中可能存在的活動(dòng)微粒雜質(zhì)遷移到低電場(chǎng)區(qū)，并通過放電燒掉細(xì)小微?；螂姌O上的毛刺、附著的塵埃，以恢復(fù)GIS絕緣強(qiáng)度，避免不必要的破壞或返工。

試驗(yàn)變壓器波形畸變的根本原因是調(diào)壓器和試驗(yàn)變壓器的漏抗以及電容負(fù)載所造成。